Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

12 373,00 kr

(exkl. moms)

15 466,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +12,373 kr12 373,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7377
Tillv. art.nr:
IPB031N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET och diod

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET IPB031N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Optimized for synchronous rectification

Ideal for high switching frequency

Output capacitance reduction of up to 44%

R DS(on) reduction of up to 44%

Highest system efficiency

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

Increased power density

Low voltage overshoot