Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN1R5-30YLC,115
- RS-artikelnummer:
- 816-6969
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
60,21 kr
(exkl. moms)
75,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 15 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 10 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 945 enhet(er) från den 02 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 12,042 kr | 60,21 kr |
| 10 - 20 | 11,524 kr | 57,62 kr |
| 25 - 45 | 11,11 kr | 55,55 kr |
| 50 - 95 | 10,77 kr | 53,85 kr |
| 100 + | 10,518 kr | 52,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 816-6969
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Width | 4.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Height 1.05mm | ||
Width 4.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
relaterade länkar
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- Nexperia NextPowerS3 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-25MLHX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia PH8230E Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
