Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
- RS-artikelnummer:
- 798-2906
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R2-30YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
65,58 kr
(exkl. moms)
81,975 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 13 415 enhet(er) levereras från den 02 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,116 kr | 65,58 kr |
| 50 - 120 | 12,024 kr | 60,12 kr |
| 125 - 245 | 11,378 kr | 56,89 kr |
| 250 - 495 | 10,392 kr | 51,96 kr |
| 500 + | 9,57 kr | 47,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2906
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R2-30YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 215W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 4.1 mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 215W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 4.1 mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
relaterade länkar
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement115
