Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SIA517DJ-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 814-1225
Tillv. art.nr:: SIA517DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SIA517DJ-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Pris (ex. moms) Var (i ett paket med 20)

5,34 kr

(exkl. moms)

6,68 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2026-01-25*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
20 - 180	5,34 kr	106,80 kr
200 - 480	4,703 kr	94,06 kr
500 - 980	3,953 kr	79,06 kr
1000 - 1980	3,744 kr	74,88 kr
2000 +	3,203 kr	64,06 kr

RS-artikelnummer:: 814-1225
Tillv. art.nr:: SIA517DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SiA517DJ, N- and P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	4.3 A, 4.5 A
Maximum Drain Source Voltage	12 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	65 mΩ, 170 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	6.5 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Width	2.15mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	13.1 nC @ 8 V, 9.7 nC @ 8 V
Length	2.15mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Height	0.8mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SIA517DJ-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor