Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA517DJ-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

117,38 kr

(exkl. moms)

146,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1805,869 kr117,38 kr
200 - 4805,169 kr103,38 kr
500 - 9804,346 kr86,92 kr
1000 - 19804,111 kr82,22 kr
2000 +3,517 kr70,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1225
Tillv. art.nr:
SIA517DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

2.15 mm

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar