Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

166,65 kr

(exkl. moms)

208,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +3,333 kr166,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3091
Tillv. art.nr:
SI1922EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

263mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

2.2mm

Width

1.35 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar