N-Channel MOSFET, 30 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH30N50Q3

RS-artikelnummer:: 801-1386
Distrelec artikelnummer:: 302-53-319
Tillv. art.nr:: IXFH30N50Q3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

N-Channel MOSFET, 30 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH30N50Q3

Price Varje**

134,30 kr

(exkl. moms)

167,88 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans när den finns i lager*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 - 5	134,30 kr
6 - 14	123,43 kr
15 +	117,11 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 801-1386
Distrelec artikelnummer:: 302-53-319
Tillv. art.nr:: IXFH30N50Q3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Package Type	TO-247
Series	HiperFET, Q3-Class
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	6.5V
Maximum Power Dissipation	690 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	16.26mm
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	62 nC @ 10 V
Width	5.3mm
Height	16.26mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 30 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH30N50Q3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series