STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET H7

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
791-9291
Tillv. art.nr:
STD45N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

STripFET H7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

60W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.4mm

Bredd

6.2 mm

Längd

6.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar