Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 20 enheter)*

33,82 kr

(exkl. moms)

42,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
20 - 1801,691 kr33,82 kr
200 - 4801,176 kr23,52 kr
500 - 9801,047 kr20,94 kr
1000 - 19800,913 kr18,26 kr
2000 +0,896 kr17,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9005
Tillv. art.nr:
SI1012CR-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

630mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si1012CR

Package Type

SC-75

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

240mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Width

0.86 mm

Standards/Approvals

No

Length

1.68mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar