STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

154,56 kr

(exkl. moms)

193,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 20 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 755 enhet(er) från den 20 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2030,912 kr154,56 kr
25 - 4529,322 kr146,61 kr
50 - 12026,432 kr132,16 kr
125 - 24523,788 kr118,94 kr
250 +22,602 kr113,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
786-3776
Tillv. art.nr:
STP110N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

110A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

STripFET H7

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.6 mm

Höjd

15.75mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar