STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

109,98 kr

(exkl. moms)

137,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 22 enhet(er) levereras från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1854,99 kr109,98 kr
20 - 9853,145 kr106,29 kr
100 - 19851,465 kr102,93 kr
200 +44,63 kr89,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
786-3798
Tillv. art.nr:
STP310N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

STripFET H7

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

315W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

180nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

15.75mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.