STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 783-3113
- Tillv. art.nr:
- STL36N55M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
268,62 kr
(exkl. moms)
335,775 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 095 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 53,724 kr | 268,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 783-3113
- Tillv. art.nr:
- STL36N55M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 62nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.8W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8mm | |
| Bredd | 8 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 62nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.8W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8mm | ||
Bredd 8 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics
Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 22 A 600 V Förbättring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 710 V Förbättring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 22 A 710 V Förbättring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 130 A 710 V Förbättring MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 650 V Förbättring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.2 A 600 V Förbättring PowerFLAT (33) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 33 A 650 V Förbättring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 33 A 650 V Förbättring TO-247, MDmesh M5
