Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 688-6813
Tillv. art.nr:: IRF1404ZPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

28,22 kr

(exkl. moms)

35,28 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

1 010 enhet(er) levereras från den 20 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 - 18	14,11 kr	28,22 kr
20 - 48	11,145 kr	22,29 kr
50 - 98	10,415 kr	20,83 kr
100 - 198	9,745 kr	19,49 kr
200 +	9,015 kr	18,03 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 688-6813
Tillv. art.nr:: IRF1404ZPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	190A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	HEXFET
	Fästetyp	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	100nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	220W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.54mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4.69 mm
	Höjd	8.77mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TO-220
	Serie HEXFET
	Fästetyp Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 220W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.54mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4.69 mm
	Höjd 8.77mm
	Fordonsstandard Nej

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

Infineon HEXFET Series MOSFET, 180A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRF1404ZPBF

This MOSFET is a high-performance power component designed for a variety of applications in the automotive and industrial sectors. With a robust continuous drain current of 180A and a maximum drain-source voltage of 40V, it excels in demanding environments. The TO-220AB package type facilitates easy mounting, ensuring efficient integration into electronic circuits and systems.

Features & Benefits

• Utilises HEXFET technology for enhanced efficiency

• Designed for enhancement mode to optimise switching

• Provides fast switching speed to boost overall efficiency

• Capable of repetitive avalanche to enhance reliability

Applications

• Ideal for use in motor control circuits

• Utilised in power supplies and converters

• Designed for use in automotive

• Suited for various industrial automation systems

• Effective in power management and switching

How does the low on-resistance benefit my applications?

The low on-resistance of 2.7mΩ reduces conduction losses, improving overall efficiency in power conversion and energy management systems.

What happens if the device exceeds its maximum operating temperature?

Exceeding the maximum operating temperature of +175°C can lead to performance degradation and potential failure, emphasising the need for adequate thermal management.

Can this be used in parallel configurations?

Yes, when used in parallel configurations, it is crucial to balance current sharing between devices to avoid overheating and maximise performance.