STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 687-5251
- Tillv. art.nr:
- STW4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
71,12 kr
(exkl. moms)
88,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 9 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 67 enhet(er) från den 08 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 71,12 kr |
| 5 - 9 | 67,65 kr |
| 10 - 24 | 60,93 kr |
| 25 - 49 | 54,66 kr |
| 50 + | 51,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5251
- Tillv. art.nr:
- STW4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 8 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 45 A 500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 45 A 600 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 21 A 500 V Förbättring TO-247, MDmesh