STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 103-1992
- Tillv. art.nr:
- STW28NM50N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 572,48 kr
(exkl. moms)
1 965,60 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 52,416 kr | 1 572,48 kr |
| 150 + | 50,945 kr | 1 528,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-1992
- Tillv. art.nr:
- STW28NM50N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 158mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 158mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 1.5 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh