onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 671-0328
Tillv. art.nr:: BSS84
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

30,13 kr

(exkl. moms)

37,66 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

400 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Dessutom levereras 1 080 enhet(er) från den 25 mars 2026
Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 24 juni 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 90	3,013 kr	30,13 kr
100 - 240	2,598 kr	25,98 kr
250 - 490	2,24 kr	22,40 kr
500 - 990	1,971 kr	19,71 kr
1000 +	1,803 kr	18,03 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 671-0328
Tillv. art.nr:: BSS84
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	130mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	50V
	Serie	BSS84
	Kapseltyp	SOT-23
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	10Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.9nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	250mW
	Minsta arbetsstemperatur	-65°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3mm
	Bredd	1.3 mm
	Höjd	1mm
	Fordonsstandard	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 130mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 50V
	Serie BSS84
	Kapseltyp SOT-23
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 10Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 250mW
	Minsta arbetsstemperatur -65°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3mm
	Bredd 1.3 mm
	Höjd 1mm
	Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.

Funktioner och fördelar:

• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler

• Cellkonstruktion med hög densitet

• Hög mättnadsström

• Överlägsen omkoppling

• Mycket robust och tillförlitlig prestanda

• DMOS-teknik

Användningsområden:

• Lastväxling

• DC/DC-omvandlare

• Batteriskydd

• Kontroll av strömhantering

• Styrning av DC-motor

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.