Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

8,18 kr

(exkl. moms)

10,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 47 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 47 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 358 enhet(er) från den 06 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 98,18 kr
10 - 497,28 kr
50 - 996,83 kr
100 - 2496,50 kr
250 +6,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
543-0018
Tillv. art.nr:
IRF9510PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-5.5V

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

relaterade länkar