Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

17,58 kr

(exkl. moms)

21,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 47 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 16 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 948 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 917,58 kr
10 - 4915,68 kr
50 - 9914,90 kr
100 - 24913,22 kr
250 +12,21 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
542-9462
Tillv. art.nr:
IRF9610PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220

Series

IRF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-5.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Ease of paralleling

Simple drive requirements

relaterade länkar