Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBE30PBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

21,06 kr

(exkl. moms)

26,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 149 enhet(er) från den 19 januari 2026
  • Dessutom levereras 56 enhet(er) från den 19 januari 2026
  • Dessutom levereras 1 534 enhet(er) från den 26 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 921,06 kr
10 - 4920,38 kr
50 - 9919,60 kr
100 - 24918,59 kr
250 +17,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
541-1124
Distrelec artikelnummer:
171-15-208
Tillv. art.nr:
IRFBE30PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar