Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

705,60 kr

(exkl. moms)

882,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5014,112 kr705,60 kr
100 - 20012,28 kr614,00 kr
250 +10,443 kr522,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0818
Tillv. art.nr:
IRFBE30PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Length

10.41mm

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar