STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

60,26 kr

(exkl. moms)

75,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 enhet(er) levereras från den 23 mars 2026
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 15 april 2026
  • Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 05 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 960,26 kr
10 - 2454,54 kr
25 - 9951,30 kr
100 - 49940,88 kr
500 +36,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
485-8572
Tillv. art.nr:
STW10NK80Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Maximal effektförlust Pd

160W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar