Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 445-2281
Tillv. art.nr:: BSP89H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

22,74 kr

(exkl. moms)

28,425 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

1 355 enhet(er) levereras från den 27 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	4,548 kr	22,74 kr
50 - 245	4,188 kr	20,94 kr
250 - 495	3,898 kr	19,49 kr
500 - 1245	3,628 kr	18,14 kr
1250 +	3,36 kr	16,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 445-2281
Tillv. art.nr:: BSP89H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	350mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	240V
	Kapseltyp	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	6Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.3nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.5 mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.5mm
	Höjd	1.6mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 240V
	Kapseltyp SOT-223
	Serie SIPMOS
	Fästetyp Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 6Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.3nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.5 mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.5mm
	Höjd 1.6mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Uppfyller ej RoHS

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP89H6327XTSA1

This MOSFET is a key component for high-voltage electronic applications, providing effective switching capabilities. Utilising N-channel enhancement mode technology, it is suitable for automotive and industrial electronics, ensuring efficient operation in various conditions. The SOT-223 package enables versatile surface mounting, making it appropriate for contemporary circuit designs.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 350mA

• High drain-source voltage rating of 240V for enhanced safety

• Low gate threshold voltage improves sensitivity

• Power dissipation capability of up to 1.8W

• Ideal for logic-level applications with quick switching times

Applications

• Power management in automotive electronics

• MOSFET-based switching power supplies

• Signal amplification in electronic circuits

What is the maximum temperature range for operation?

It operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C, suitable for various environmental conditions.

How does the gate threshold voltage affect performance?

A low gate threshold voltage allows the MOSFET to activate at lower input voltages, enhancing efficiency in battery-operated devices.

What type of mounting is compatible with this device?

This component is designed for surface mounting in a SOT-223 package, facilitating easy integration into PCBs.

Can it handle pulsed drain currents?

Yes, it can manage pulsed drain currents of up to 1.4A, offering additional flexibility for burst power applications.

Is it suitable for use with microcontrollers?

Yes, its logic-level compatibility allows for direct interfacing with microcontroller outputs for effective control.