Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 37.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

24 294,00 kr

(exkl. moms)

30 366,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +8,098 kr24 294,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9952
Tillv. art.nr:
SIR5623DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

37.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.024Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

relaterade länkar