Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

73,25 kr

(exkl. moms)

91,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 31 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4973,25 kr
50 - 9971,90 kr
100 - 24965,97 kr
250 - 99964,74 kr
1000 +63,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9938
Tillv. art.nr:
SIJH5100E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

277A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIJH

Package Type

8x8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00189Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

7.9mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar