Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 299 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V
- RS-artikelnummer:
- 225-9921
- Tillv. art.nr:
- SIJH800E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
115,58 kr
(exkl. moms)
144,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 874 enhet(er) levereras från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 57,79 kr | 115,58 kr |
| 20 - 48 | 54,88 kr | 109,76 kr |
| 50 - 98 | 44,465 kr | 88,93 kr |
| 100 - 198 | 40,43 kr | 80,86 kr |
| 200 + | 33,60 kr | 67,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9921
- Tillv. art.nr:
- SIJH800E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 299A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8L) | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 8mm | |
| Bredd | 1.9 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 299A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8L) | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 8mm | ||
Bredd 1.9 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
50 % smaller footprint than D2PAK (TO-263)
100 % Rg and UIS tested