Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- RS-artikelnummer:
- 279-9909
- Tillv. art.nr:
- SIHF085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
65,97 kr
(exkl. moms)
82,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 65,97 kr |
| 10 - 24 | 64,74 kr |
| 25 - 99 | 63,39 kr |
| 100 + | 59,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9909
- Tillv. art.nr:
- SIHF085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.084Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.084Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Reduced switching and conduction losses
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220, SIHF
- Vishay Typ N Kanal 14 A 650 V Förbättring TO-220, SIHF
- Vishay Typ N Kanal 13 A 800 V Förbättring TO-220, E
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- Vishay Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-220, SiHA125N60EF
- Vishay Typ N Kanal 41 A 600 V Förbättring TO-220, SiHP068N60EF
- Vishay Typ N Kanal 29 A 600 V Förbättring TO-220, SiHA105N60EF
- Vishay Typ N Kanal 48 A 600 V Förbättring TO-220, SiHP052N60EF
