Infineon OptiMOSTM Type N-Channel Power MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

63,22 kr

(exkl. moms)

79,025 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • Dessutom levereras 85 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4512,644 kr63,22 kr
50 - 49511,514 kr57,57 kr
500 - 9959,004 kr45,02 kr
1000 - 24958,758 kr43,79 kr
2500 +8,624 kr43,12 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2814
Tillv. art.nr:
ISC011N03L5SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOSTM

Package Type

PG-TDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC standard and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

relaterade länkar