Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

99,46 kr

(exkl. moms)

124,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,892 kr99,46 kr
50 - 49518,10 kr90,50 kr
500 - 99514,202 kr71,01 kr
1000 - 249513,932 kr69,66 kr
2500 +13,596 kr67,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2628
Tillv. art.nr:
BSC076N04NDATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON-8-4

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for drives applications and it is 100 percent avalanche tested. It is qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47 20 2.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Fast switching MOSFETs

Superior thermal resistance

relaterade länkar