ROHM R6007END3 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007END3TL1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

69,10 kr

(exkl. moms)

86,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 445 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4513,82 kr69,10 kr
50 - 9512,074 kr60,37 kr
100 - 2459,542 kr47,71 kr
250 - 9959,318 kr46,59 kr
1000 +8,108 kr40,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-3778
Tillv. art.nr:
R6007END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6007END3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.62Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching

Parallel use is easy

relaterade länkar