ROHM R6004END3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004END3TL1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

78,18 kr

(exkl. moms)

97,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 495 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4515,636 kr78,18 kr
50 - 9513,484 kr67,42 kr
100 - 24510,908 kr54,54 kr
250 - 99510,73 kr53,65 kr
1000 +9,184 kr45,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-3776
Tillv. art.nr:
R6004END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6004END3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.98Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

59W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching

Parallel use is easy

relaterade länkar