Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

5 183,20 kr

(exkl. moms)

6 479,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 8006,479 kr5 183,20 kr
1600 - 16006,155 kr4 924,00 kr
2400 +5,766 kr4 612,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6782
Tillv. art.nr:
IRFZ34NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

relaterade länkar