Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL7437PBF
- RS-artikelnummer:
- 262-6774
- Tillv. art.nr:
- IRFSL7437PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
134,28 kr
(exkl. moms)
167,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 090 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 26,856 kr | 134,28 kr |
| 25 - 45 | 24,17 kr | 120,85 kr |
| 50 - 120 | 22,556 kr | 112,78 kr |
| 125 - 245 | 20,944 kr | 104,72 kr |
| 250 + | 19,60 kr | 98,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6774
- Tillv. art.nr:
- IRFSL7437PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-262 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.075Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-41-679 | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-262 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-41-679 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Halogen free
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
relaterade länkar
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF540NLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4115TRLPBF
