Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF
- RS-artikelnummer:
- 262-6772
- Tillv. art.nr:
- IRFSL4127PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
115,01 kr
(exkl. moms)
143,762 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 57,505 kr | 115,01 kr |
| 10 - 18 | 51,745 kr | 103,49 kr |
| 20 - 48 | 48,33 kr | 96,66 kr |
| 50 - 98 | 44,80 kr | 89,60 kr |
| 100 + | 41,495 kr | 82,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6772
- Tillv. art.nr:
- IRFSL4127PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.075Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
relaterade länkar
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-262 IRFS4127TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL7437PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF540NLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-262
