Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6725
- Tillv. art.nr:
- IRF2807ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 262-6725
- Tillv. art.nr:
- IRF2807ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Ultra low on-resistance
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 75 A 75 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 75 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 210 A 75 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 120 A 75 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 80 A 75 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 75 A 60 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 140 A 75 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 180 A 75 V HEXFET