Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 162 A 100 V P, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

45,02 kr

(exkl. moms)

56,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 773 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 945,02 kr
10 - 2440,43 kr
25 - 4937,74 kr
50 - 9935,17 kr
100 +32,93 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
259-2581
Tillv. art.nr:
IPB026N10NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

162A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Kanalläge

P

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons StrongIRFET 2 effekt-MOSFET är optimerade för ett brett spektrum av applikationer som SMPS, motorstyrning, batteridriven, batterihantering, UPS och lätta elfordon. Den här nya tekniken erbjuder upp till 40 procent RDS(on)-förbättring och upp till 60 procent lägre Qg jämfört med de tidigare StrongIRFET-enheterna, vilket innebär högre energieffektivitet för förbättrad övergripande systemprestanda. Ökade strömvärden möjliggör högre strömbärande kapacitet, vilket eliminerar behovet av att parallellt använda flera enheter, vilket resulterar i lägre BOM-kostnader och kortbesparingar.

Bred tillgänglighet från distributionspartners

Utmärkt pris/prestandaförhållande

Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens

Industristandard för genomgående hål

Högströmsklassning

Relaterade länkar