Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V N TO-263 IPB014N06NATMA1
- RS-artikelnummer:
- 259-1541
- Tillv. art.nr:
- IPB014N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
75,77 kr
(exkl. moms)
94,712 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 982 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 37,885 kr | 75,77 kr |
| 20 - 48 | 32,58 kr | 65,16 kr |
| 50 - 98 | 30,685 kr | 61,37 kr |
| 100 - 198 | 28,415 kr | 56,83 kr |
| 200 + | 26,18 kr | 52,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1541
- Tillv. art.nr:
- IPB014N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon optimos 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make optimos 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. Available in half bridge configuration (power stage 5x6).
N-channel enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green product (RoHS compliant)
Ultra low Rds(on)
100% avalanche tested
relaterade länkar
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N10S402ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-263 IPB026N06NATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263 IPB180N10S403ATMA1