Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 30 V WDSON IRF6727MTRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

53,76 kr

(exkl. moms)

67,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 370 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1826,88 kr53,76 kr
20 - 4822,23 kr44,46 kr
50 - 9820,945 kr41,89 kr
100 - 19819,375 kr38,75 kr
200 +18,09 kr36,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3968
Tillv. art.nr:
IRF6727MTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

WDSON

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Forward Voltage Vf

0.77V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

High-current rating

Dual-side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Compact form factor

High efficiency

Environmentally friendly

relaterade länkar