Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

49,50 kr

(exkl. moms)

61,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 728 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1824,75 kr49,50 kr
20 - 4820,495 kr40,99 kr
50 - 9819,265 kr38,53 kr
100 - 19817,81 kr35,62 kr
200 +16,575 kr33,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3869
Tillv. art.nr:
IPD90P04P405ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-90A

Maximal källspänning för dränering Vds

-40V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

118nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Relaterade länkar