Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263 IPB60R299CPAATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

36,51 kr

(exkl. moms)

45,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 694 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 436,51 kr
5 - 934,72 kr
10 - 2431,36 kr
25 - 4928,11 kr
50 +26,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3809
Tillv. art.nr:
IPB60R299CPAATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS power transistor is high peak current capability, its automotive AEC Q101 qualified.

Ultra low gate charge

Extreme dv/dt rated

relaterade länkar