Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 80 V P, 7 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

55,22 kr

(exkl. moms)

69,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 955,22 kr
10 - 2452,53 kr
25 - 4951,30 kr
50 - 9947,94 kr
100 +44,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3784
Tillv. art.nr:
IPB015N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

260A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1.5mΩ

Kanalläge

P

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

178nC

Maximal effektförlust Pd

375W

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

Increased power density

Low voltage overshoot

Relaterade länkar