Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 80 V P, 7 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

43 393,00 kr

(exkl. moms)

54 241,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +43,393 kr43 393,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3783
Tillv. art.nr:
IPB015N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

260A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1.5mΩ

Kanalläge

P

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Maximal effektförlust Pd

375W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

178nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriell effekt-MOSFET erbjuder en RDS(on)-reduktion på 43 % jämfört med tidigare generationer och är idealisk för höga omkopplingsfrekvenser. Enheterna i denna familj är speciellt utformade för synkron likriktering i telekom- och serverströmförsörjning. Dessutom kan de också användas i andra industriella tillämpningar som solenergi, lågspänningsenheter och adaptrar.

Minskade kopplings- och ledningsförluster

Färre parallellkoppling krävs

Ökad effekttäthet

Låg spänningsöverspänning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.