Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

35,93 kr

(exkl. moms)

44,912 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 580 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1817,965 kr35,93 kr
20 - 4815,815 kr31,63 kr
50 - 9814,965 kr29,93 kr
100 - 19813,80 kr27,60 kr
200 +12,725 kr25,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9438
Tillv. art.nr:
IRFS7530TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

195A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

274nC

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

Relaterade länkar