Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9438
- Tillv. art.nr:
- IRFS7530TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
35,93 kr
(exkl. moms)
44,912 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 580 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 17,965 kr | 35,93 kr |
| 20 - 48 | 15,815 kr | 31,63 kr |
| 50 - 98 | 14,965 kr | 29,93 kr |
| 100 - 198 | 13,80 kr | 27,60 kr |
| 200 + | 12,725 kr | 25,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9438
- Tillv. art.nr:
- IRFS7530TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 274nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 274nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 195 A 150 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 210 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 160 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 200 V HEXFET
