Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9437
- Tillv. art.nr:
- IRFS7530TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
11 586,40 kr
(exkl. moms)
14 483,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 14,483 kr | 11 586,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9437
- Tillv. art.nr:
- IRFS7530TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 274nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 274nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFS-serie är en 60 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en D2 Pak-kapsel.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Optimerad för 10 V gate-drivspänning (kallas normal nivå)
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET