Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 200 V, 8-Pin SO-8

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

24 196,00 kr

(exkl. moms)

30 244,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +6,049 kr24 196,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9319
Tillv. art.nr:
IRF7820TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

78mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

330mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 200V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level is Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface mount package

Capable of being wave soldered


relaterade länkar