Sök efter MPN

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF

RS-artikelnummer:: 257-9303
Tillv. art.nr:: IRF7324TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

61,46 kr

(exkl. moms)

76,825 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 355 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	12,292 kr	61,46 kr
50 - 120	10,824 kr	54,12 kr
125 - 245	10,07 kr	50,35 kr
250 - 495	9,318 kr	46,59 kr
500 +	8,746 kr	43,73 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9303
Tillv. art.nr:: IRF7324TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	-9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.75mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5mm
	Width	4 mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id -9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.75mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5mm
	Width 4 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7324TRPBF

The Infineon IRF series is the -20V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar