DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8646
- Tillv. art.nr:
- DMT15H053SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
49,60 kr
(exkl. moms)
62,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 230 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 4,96 kr | 49,60 kr |
| 50 - 90 | 4,838 kr | 48,38 kr |
| 100 - 240 | 4,693 kr | 46,93 kr |
| 250 - 990 | 4,581 kr | 45,81 kr |
| 1000 + | 4,48 kr | 44,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8646
- Tillv. art.nr:
- DMT15H053SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.58mm | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.29mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8 V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.58mm | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.29mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in DC to DC converters and power
Low on resistance
Low power losses
Low switching losses
Halogen and antimony free
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal 10.7 A 12 V Förbättring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 10.7 A 12 V Förbättring AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 10.7 A 12 V Förbättring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 10.7 A 12 V Förbättring PowerDI1012-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 10.7 A 12 V Förbättring SOIC, DMP65H AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 10.7 A 12 V Förbättring PowerDI5060-8 AEC-Q101
