Vishay Type N-Channel MOSFET, 110 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS142ELNW-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

78,62 kr

(exkl. moms)

98,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 907,862 kr78,62 kr
100 - 4907,392 kr73,92 kr
500 - 9906,675 kr66,75 kr
1000 - 24906,294 kr62,94 kr
2500 +5,902 kr59,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0320
Tillv. art.nr:
SQS142ELNW-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

PowerPAK 1212-8SLW

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

94nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Wettable flank terminals

Low thermal resistance with 0.75 mm profile

relaterade länkar