Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

83,89 kr

(exkl. moms)

104,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,389 kr83,89 kr
100 - 4907,874 kr78,74 kr
500 - 9907,123 kr71,23 kr
1000 - 24906,72 kr67,20 kr
2500 +6,306 kr63,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0289
Tillv. art.nr:
SIS4608LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.5nC

Maximal effektförlust Pd

33.7W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

3.3 mm

Längd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar