Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 42.8 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
252-0277
Tillv. art.nr:
SIR4608DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

42.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

83W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Längd

6.15mm

Höjd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar