Vishay N Kanal, MOSFET, 218 A 100 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

41 934,00 kr

(exkl. moms)

52 416,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +13,978 kr41 934,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
239-8616
Tillv. art.nr:
SiDR626LEP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

218A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8DC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0021Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

120W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

6.15mm

Bredd

5.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® är en Gen IV-effekt-N-kanal-MOSFET som fungerar vid 60 V och 175 °C temperatur. Denna MOSFET används för solcellsmikroväxelriktare, motordrivkretsomkopplare och synkron likriktare.

Kylfunktionen på ovansidan ger ytterligare plats för värmeöverföring

Mycket lågt motstånd

UIS-testat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.