Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

15,01 kr

(exkl. moms)

18,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 960 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 901,501 kr15,01 kr
100 - 4901,422 kr14,22 kr
500 - 9900,896 kr8,96 kr
1000 - 24900,818 kr8,18 kr
2500 +0,683 kr6,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0554
Tillv. art.nr:
BSS209PWH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-323

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes P-channel with enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS-P Small-Signal-Transistor with super logic level of 2.5 V (rated). The operating temperature is 150°C. It is Avalanche and dv /dt rated. It is Pb-free with lead plating, Halogen-free.

VDS is -20 V, RDS(on),max 550 mΩ and Id is -0.63 A

Maximum power dissipation is 500mW

relaterade länkar